Bài 10: Ghép các nguồn điện thành bộ

1/ Khi có n nguồn điện giống nhau mắc song song, mổi nguồn có sđđ E và điện trở trong r. Sđđ và điện trở trong của bộ nguồn là:

A. E_b = nE; r_b = nr. B. E_b = E; r_b = nr. C. E_b = E; r_b = r/n. D. E_b = E; r_b = r.

C

2/ Có n nguồn điện giống nhau, cách mắc để tạo ra bộ nguồn có điện trở nhỏ nhất là:

A. Mắc song song. B. Mắc nối tiếp. C. Mắc hỗn hợp đối xứng. D. A và C

A

3/ Có n nguồn điện giống nhau, cách mắc để tạo ra bộ nguồn có sđđ lớn nhất là:

A. Mắc song song. B. Mắc nối tiếp. C. Mắc hỗn hợp đối xứng. D. A và C

B

4/ Khi mắc mắc song song n dãy, mỗi dãy m nguồn điện có điện trở trong r giống nhau thì điện trở trong của cả bộ nguồn cho bởi biểu thức

A. nr. B. mr. C. m.nr. D. mr/n.

D

5/ Khi ghép n nguồn điện nối tiếp, mỗi nguồn có suất điện động E và điện trở trong r thì suất điện động và điện trở trong của bộ nguồn là

A. nE và r/n. B. nE nà nr. C. E và nr. D. E và r/n.

B

6/ Mạch kín gồm bộ nguồn có n pin nối tiếp giống nhau mắc với mạch ngoài là điện trở thuần R. Mỗi pin có suất điện động E và điện trở trong r. Biểu thức dđ qua R là:

A. \(I = \frac{\xi }{{R + nr}}\). B. \(I = \frac{{n\xi }}{{R + r}}\). C. \(I = \frac{{n\xi }}{{R + nr}}\). D. \(I = \frac{\xi }{{R + r/n}}\).

C

7/ Mạch kín gồm bộ nguồn có n pin song song giống nhau mắc với mạch ngoài là điện trở thuần R. Mỗi pin có suất điện động E và điện trở trong r. Biểu thức dđ qua R là:

A. \(I = \frac{\xi }{{R + nr}}\). B. \(I = \frac{{n\xi }}{{R + r}}\). C. \(I = \frac{{n\xi }}{{R + nr}}\). D. \(I = \frac{\xi }{{R + r/n}}\).

D

8*Có n nguồn điện giống nhau, mổi nguồn có sđđ \(\xi \) và điện trở trong r được mắc song song với nhau rồi mắc với mạch ngoài là điện trở thuần R = r để tạo thành mạch kín. Biểu thức dđ qua R là:

A. \(I = \frac{{n\xi }}{{r(1 + n)}}\). B. \(I = \frac{\xi }{{r(1 + n)}}\). C. \(I = \frac{{n\xi }}{{(1 + n)}}\). D. \(I = \frac{{n\xi }}{{n(1 + r)}}\).

A

9*Có n nguồn điện giống nhau, mổi nguồn có sđđ \(\xi \) và điện trở trong r được mắc nối tiếp với nhau rồi mắc với mạch ngoài là điện trở thuần R = r để tạo thành mạch kín. Biểu thức dđ qua R là:

A. \(I = \frac{{n\xi }}{{r(1 + n)}}\). B. \(I = \frac{\xi }{{r(1 + n)}}\). C. \(I = \frac{{n\xi }}{{(1 + n)}}\). D. \(I = \frac{{n\xi }}{{n(1 + r)}}\).

A

10 / Có 2 nguồn điện (\({\xi _1},{r_1}\)) và (\({\xi _2},{r_2}\)) mắc xung đối. Nếu \({\xi _1} > {\xi _2}\) thì kế luận nào sau đây là đúng khi nói về bộ nguồn:

A. Sđđ bộ nguồn \(\xi = {\xi _1} - {\xi _2}\). B. Điện trở trong của bộ nguồn r = r₁ + r₂.

C. Cực dương của bộ nguồn là cực dương của nguồn \({\xi _1}\). D. Cả A,B,C đều đúng.

D